2N7002K
60V N沟道增强型MOSFET - ESD保护
特点
R
DS （ ON）
, V
GS
@10V,I
DS
@500mA=3
R
DS （ ON）
, V
GS
@4.5V,I
DS
@200mA=4
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
超低漏电流在关闭状态
专为电池供电系统，固态继电器
司机：继电器，显示器，灯，电磁阀，存储器等
ESD保护2KV HBM
组件均符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
MECHANICALDATA
案例： SOT- 23封装
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
标记： K72
D
3
顶视图
1
G
2
S
最大额定值和热特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
PA RA M E TE
，D R A I N - S 0乌尔权证武L T A G é
G A T E - S 0乌尔权证武L T A G é
C 0 NT I傩我们 R A I N C-UR 鄂西北
P UL发E D D R A I N C-UR 鄂西北
1)
S YM B○升
V
S
V
GS
I
D
I
D M
T
A
= 2 5
O
C
T
A
= 7 5
O
C
P
D
T
J
, T
S T摹
R
θ
J A
李密吨
60
+20
300
2000
350
210
-5 5 + 1 5 0
357
ü妮吨s
V
V
mA
mA
mW
O
米喜米UM P 2 O宽E R D所I S的I P A T I O 4 N
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
结至环境热阻（PCB安装）
2
C
O
C / W
注：1，最大直流电流受限于包
2.表面安装在FR4板，T < 5秒
PAN JIT保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
STAD-JAN.03.2007
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