BL
银河电子
小信号MOSFET晶体管
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
前锋
反向
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=10μA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
DS
=0V, V
GS
=20V
V
DS
=0V, V
GS
=-20V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源电压
正向跨导
I
DSS
V
DS
=60V,V
GS
=0V,T
j
=125℃
I
D（上）
V
DS （ ON）
g
FS
V
GS
=10V, V
D
S
≥2.0V
DS （ ON）
V
GS
=10V,I
D
=500mA
V
GS
=5V,I
D
=50mA
V
D
S
≥2.0V
DS （ ON）
,I
D
=200mA
V
GS
=10V,I
D
=500mA
V
GS
=10V,I
D
=500mA,T
j
=100℃
V
GS
=5.0V,I
D
=50mA
V
GS
=5.0V,I
D
= 50毫安，T
j
=100℃
V
GS
=0V,I
D
=115mA
产品规格
2N7002
民
60
1
2.1
2.5
100
-100
1
μA
500
500
2700
0.6
0.09
80
320
1.2
1.7
1.7
2.4
0.88
20
7.5
13.5
7.5
13.5
1.5
50
25
5
20
20
ns
ns
pF
3.75
1.5
mA
V
mS
典型值
最大
单位
V
nA
静态漏源导通电阻
R
DS （ ON）
漏源二极管正向
电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
V
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1.0MHz
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A,
R
L
= 150, V
GS
= 10V,
R
根
= 25
11
4
典型特征
除非另有规定@ TA = 25 ℃
文件编号： BL / SSMTC008
Rev.A的
www.galaxycn.com
2
