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HY62KF08401C系列
512Kx8bit全CMOS SRAM
文档标题
512K X 8位2.7 3.6V超低功耗FCMOS慢速SRAM
修订历史
版本号
历史
草案日期
备注
00
最初的草案
Mar.21.2001
最终科幻
01
改变ISB1值
Jun.07.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
Rev.01 / Jun.01
海力士半导体
