LTM4600
应用S我FOR ATIO
典型LTM4600应用电路示于图
17.外部元件的选择主要决定
由最大负载电流和输出电压。
输出电压编程和裕
在LTM4600的PWM控制器具有一个内部
0.6V ± 1 ％基准电压。如图所示的框图，
一个10万/ 0.5 ％的内部反馈电阻连接V
OUT
和
FB引脚。加电阻器R
SET
从V
OSET
引脚至SGND
脚节目输出电压：
V
O
=
0.6V
100k
+
R
SET
R
SET
表1示出了1％的R的标准vaules
SET
电阻器
典型输出电压：
表1中。
R
SET
(kΩ)
V
O
(V)
开放
0.6
100
1.2
66.5
1.5
49.9
1.8
43.2
2
31.6
2.5
22.1
3.3
13.7
5
电压裕量是输出的动态调整
电压在生产中最严重的情况下，工作范围
测试强调的负载电路，验证控制/保护
董事会化功能，提高了系统
可靠性。图2显示了如何实现保证金
功能的LTM4600 。除了该反馈
电阻R
SET
若干外部组分加入。
关闭这两个晶体管Q
UP
和Q
下
禁用
裕度。当Q
UP
是上和Q
下
关闭时，该输出
电压保证金起来。输出电压为保证金
LTM4600
V
OUT
R
下
100k
Q
下
V
OSET
保护地
SGND
R
SET
2N7002
R
UP
Q
UP
2N7002
4600 F02
图2中。
4600fa
U
下来的时候Q
下
是上和Q
UP
是关闭的。如果输出
电压V
O
需要特别保证金向上/向下± M％时，
的R的电阻值
UP
和R
下
可由下式计算
下面的等式：
(R
SET
R
UP
) V
O
(1
+
M%)
=
0.6V
(R
SET
R
UP
)
+
100k
R
SET
V
O
(1– M%)
=
0.6V
R
SET
+
(100k
R
下
)
输入电容
在LTM4600微型模块应连接到一个低
交流阻抗直流电源。高频率，低ESR的输入
需要电容被放置在邻近所述MOD-
ULE 。在图20中，大容量的输入电容器C
IN
选择
其处理RMS电流大进的能力
转换器。对于降压转换器，开关的占空比
可估计为：
D
=
V
O
V
IN
不考虑电感电流纹波，有效值
电流的输入电容器的可估计为：
I
CIN （ RMS ）
=
I
O（最大值）
D (1
D)
η
%
在上述等式中，
η%
是的，估计EF网络效率
电源模块。 C1可以是一个切换器，额定电
铝电容， OS- CON电容和大容量
陶瓷电容。注意电容的纹波电流
收视率往往是基于只有两千小时的寿命。这
使得它建议适当减免输入电容，
或选择额定温度高于电容器
所需。始终联系电容制造商
降额要求。
在图16中，输入电容被用作高频
昆西输入去耦电容。在一个典型的10A
输出应用， 1-2件非常低的ESR X5R或
X7R ， 10μF陶瓷电容建议。这
去耦电容应放在直接相邻
W
U
U
9
