W78LE52/W78L052A
擦除验证操作
在擦除操作之后，所有的芯片中的字节必须进行验证，以检查它们是否已经
成功擦除为1或没有。擦除验证操作自动确保大幅度擦除
利润率。此操作将擦除操作，如果后进行V
PP
= V
EP
(14.5V),
CE
为HIGH和
OE
是低的。
编程/擦除禁止操作
这个操作允许并行的擦除或多个芯片用不同的数据编程。当
P3.6(
CE
) = V
IH
, P3.7(
OE
) = V
IH
，擦除或者非靶向芯片编程被抑制。所以，
除了P3.6和P3.7引脚，每个芯片可能有共同的投入。
P3.6
（ ERRO
R!
OBJEC
TS
卡恩
P3.3
P3.2
P3.1
P3.0
OT BE
操作（ A9
（ OE
CREAT
(A14
(A13
ED
CTRL ） CTRL ） CTRL ） CTRL ）
从
EDITIN
G
场
CODE
S.)
ERRO
R!
OBJEC
TS
卡恩
OT BE
P3.7
CREAT
P2, P1
ED
从
(A15..A0)
(
OE
)
EDITIN
G
场
CODE
S.
（ VPP）的
P0
(D7..D0)
记
读
输出禁用
节目
程序校验
抹去
擦除验证
编程/擦除
抑制
注意事项：
0
0
0
0
1
1
X
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
V
CP
V
CP
V
EP
V
EP
V
CP
/
V
EP
地址
X
地址
地址
A0: 0,
其他：X
地址
X
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
DATA IN
0FFH
数据输出
X
@3
@4
@5
1.所有这些操作发生在RST = V
IH
， ALE = V
IL
和
PSEN
= V
IH
.
2. V
CP
= 12.5V, V
EP
= 14.5V, V
IH
= V
DD
, V
IL
= VSS 。
3.程序验证操作如下程序操作的后面。
4.本擦除操作将会擦除所有的片内Flash EPROM单元和安全位。
5.擦除验证操作如下擦除操作的后面。
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出版日期： 2006年11月6日
修订A6
