W78LE52/W78L052A
6.片内Flash EPROM特性
该W78L052有几种模式进行编程的片内Flash EPROM 。所有这些操作都
由销RST配置，ALE，
PSEN
， A9CTRL （ P3.0 ） ， A13CTRL （ P3.1 ） ， A14CTRL （ P3.2 ） ，
OECTRL(P3.3),
CE
(P3.6),
OE
（ P3.7 ） ， A0 （ P1.0 ）和V
PP
(
EA
） 。此外， A15 -A0 （ P2.7 - P2.0 ，
P1.7 - P1.0 ）和D7-D0 （ P0.7 - P0.0 ）分别用作地址和数据总线，用于这些
操作。
读操作
支持此操作为用户阅读他们的代码和安全位。该数据将不
有效的，如果锁定位被编程为低。
输出禁止条件
当
OE
被设置为高时，没有数据输出显示在D7..D0 。
程序运行
此操作用于将数据闪存EPROM和保密位编程。编程操作
完成时， V
PP
为达到V
CP
（ 12.5V ）的水平，
CE
设置为低，并
OE
设置为高。
编程验证操作
所有的编程数据必须程序操作后进行检查。此操作应
每个字节进行编程后进行;这将确保一个重大项目保证金。
擦除操作
擦除操作是从0变数据为1。此操作将删除所有闪存的唯一途径
EPROM单元和所述安全位从0到1。该擦除操作完成后在V时
PP
为达到
V
EP
的水平，
CE
设置为低，并
OE
设置为高。
- 10 -
