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怀特电子设计
2Mx16闪存模块， SMD 5962-97610
特点
90访问时间， 120为150ns
包装：
56铅，密封陶瓷， 0.520"南方东英
（封装207）。
符合标准的56 SSOP足迹。
44引脚的陶瓷SOJ （ 102包） **
44铅陶瓷扁平封装（封装208 ） **
部门架构
每一个64K字节的32大小相等的行业
扇区的任何组合可以被擦除。
还支持整片擦除。
最少100,000次写/擦除周期最短
组织为2Mx16 ;用户刀豆网络可配置为2× 2Mx8
商业，工业和军用温度
范围
5伏的读取和写入。 5V ±10 ％电源。
WF2M16-XXX5
初步*
低功耗CMOS
数据＃投票和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成。
支持读取或编程数据到一个部门
不被删除。
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行。
RESET ＃引脚复位内部状态机的
阅读模式。
就绪/忙（ RY ＃ / BY ＃ ）输出检测
编程或擦除周期完成。
多个接地引脚为低噪音运行
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
**待开发包。
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程16M5应用笔记。
图1 - 引脚配置
WF2M16-XDAX5
56南方东英
顶视图
CS1#
A12
A13
A14
A15
NC
CS2#
NC
A20
A19
A18
A17
A16
V
CC
GND
I/O6
I/O14
I/O7
I/O15
RY / BY ＃
OE ＃
WE＃
NC
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
V
CC
WF2M16-XXX5
44 CSOJ （ DL ） **
44 FLATPACK （佛罗里达州） **
顶视图
CS1#
A12
A13
A14
A15
NC
CS2#
NC
A20
A19
A18
A17
A16
V
CC
GND
I/O6
I/O14
I/O7
I/O15
RY / BY ＃
OE ＃
WE＃
NC
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
V
CC
引脚说明
I / O
0-15
A
0-20
WE＃
CS
1-2
#
OE ＃
VCC
VSS
RY / BY ＃
RESET＃
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
就绪/忙
RESET
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
#reset
A11
A10
A9
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
GND
A8
V
CC
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
A0
NC
NC
NC
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
NC
#reset
A11
A10
A9
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
GND
A8
V
CC
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
A0
NC
NC
NC
I/O2
I/O10
I/O3
I/O11
GND
框图
I / O
0-7
RESET＃
WE＃
OE ＃
A
0-20
RY / B Y＃
I / O
8-1
2M ×8
2M ×8
**待开发包。
CS
1#
CS
2#
注意：
1. RY / BY ＃是一个漏极开路输出，应拉至VCC通过一个外部电阻。
2.地址与英特尔2M8 56 SSOP兼容。
2004年4月
启5
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
