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怀特电子设计
WV3EG64M72ETSU-D3
初步
DDR SDRAM组件电气特性和
建议使用的工作条件（续）
参数
模式寄存器设置循环时间
DQ & DM设置时间DQS
DQ & DM保持时间DQS
控制&地址输入脉冲宽度
DQ & DM输入脉冲宽度
退出自刷新非读命令
退出自刷新，以读取命令
刷新间隔时间
输出DQS有效窗口
时钟半周期
数据保持倾斜因子
DQS写后记的时间
主动阅读与自动预充电命令
Autoprecharge写恢复+预充电时间
注意：这些特定网络阳离子适用于内置的模块
三星
组件而已。
符号
t
MRD
t
DS
t
DH
t
IPW
t
DIPW
t
XSNR
t
XSRD
t
REFI
t
QH
t
HP
t
QHS
t
WPST
t
RAP
t
拉尔
335
民
12
0.45
0.45
2.2
1.75
75
200
t
HP
-t
QHS
t
CLmin
或T
chmin
0.4
18
(t
WR
/t
CK
) +
(t
RP
/t
CK
)
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
us
ns
ns
ns
ns
t
CK
7.8
—
—
0.55
0.6
AC运行试验条件
V
CC
= 2.5V, V
CCQ
= 2.5V ， 0℃下
≤
T
A
≤
70°C
符号
V
IH （AC）的
V
白细胞介素（AC）的
V
的ID （AC）的
V
IX（ AC）
民
V
REF
+0.31
0.7
0.5*V
CCQ
-0.2
参数/条件
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入差分电压， CK和CK ＃输入
输入交叉点电压， CK和CK ＃输入
最大
V
REF
-0.31
V
CCQ
+0.6
0.5*V
CCQ
+0.2
单位
V
V
V
V
记
1
1
注意事项：
1. V
IH
过冲： V
IH
= V
CCQ
+ 1.5V的脉冲宽度为3ns <和脉冲不能大于1/3的周期率。
V
IL
冲： V
IL
= -1.5V为一个脉冲宽度为3ns <和脉冲不能大于1/3的周期率。
2005年10月
第0版
7
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
