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怀特电子设计
WV3EG264M64EFSU-D4
初步*
1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
特点
PC2700 CL2.5 @
双倍数据速率架构
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程只读延迟2,2.5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2,4,8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
汽车和自刷新（ 8K / 64ms的刷新）
串行存在检测
电源： V
CC
/V
CCQ
: 2.5V ± 0.2V
双列
标准的200针SO-DIMM封装
封装高度选项：
D4 ： 31.75毫米（ 1.25“ ）
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
描述
该WV3EG264M64EFSU是2x64Mx64双数据
基于512Mb的DDR SDRAM速度的内存模块
SDRAM部分。该模块由16
64Mx8位与FBGA封装4银行的DDR SDRAM
装一个200引脚的FR4基板上。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
工作频率
DDR333 @ CL = 2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
2005年8月
第0版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
