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怀特电子设计
WV3EG232M64EFSU-D4
高级*
512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM ，无缓冲，W / PLL ， FBGA
特点
快速的数据传输速率： PC- 2100和PC -2700
133 MHz和166 MHz的时钟速度
每个时钟周期2的数据传输
支持ECC错误检测和校正
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程读取延迟2和2.5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2 ， 4或8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
自动和自刷新
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
双列
电源： V
CC
= V
CCQ
= + 2.5V ± 0.2V （ 133
166MHz)
金缘接触
200引脚小外形， SO -DIMM封装
PCB高度选项：
31.75 mm (1.25”)
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
描述
该WV3EG232M64EFSU是2x32Mx64双数据
基于256Mb的DDR SDRAM速度的内存模块
SDRAM组件。该模块由16
在FBGA封装32Mx8 4银行的DDR SDRAM
装一个200引脚的FR4基板上。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
工作频率
DDR333@CL=2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
DDR266@CL=2
133MHz
2-2-2
DDR266@CL=2.5
133MHz
2.5-3-3
2005年4月
第0版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
