NTD32N06L
功率MOSFET
32安培， 60伏特，逻辑电平
N沟道DPAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
典型值
23.7毫瓦
N沟道
D
I
D
最大
32 A
更小的封装尺寸比MTB30N06VL
低
DS （ ON）
, V
DS （ ON）
和总栅极电荷
较低的和更严格的V
SD
低二极管反向恢复时间
低反向恢复电荷存储
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
典型应用
G
S
4
价值
60
60
"20
"30
32
22
90
93.75
0.625
2.88
1.5
-55
+175
313
单位
VDC
VDC
VDC
1 2
3
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
4
YWW
32N06L
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
2
YWW
32N06L
1 2 3
门漏源
包
DPAK
DPAK
直引线
DPAK
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
出版订单号：
NTD32N06L/D
1
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25 ° C（注3 ）
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 5伏直流， L = 1.0 mH的，
I
L（ PK）
= 25 A，V
DS
= 60伏，R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
标记DIAGRAMS
4
漏
ADC
APK
W
W / ℃，
W
W
°C
mJ
T
J
, T
英镑
E
AS
3
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
32N06L
Y
WW
器件代码
=年
=工作周
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
1.6
52
100
260
°C
订购信息
设备
NTD32N06L
NTD32N06L1
NTD32N06LT4
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.表面贴装FR4板采用0.5 “盘的大小。
2.表面贴装FR4板采用最小建议垫
尺寸。
3.重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年4月 - 第3版
