SL811S/T
7.5.2
I / O读周期
tWR的
NWR
tWASU
twahld
A0
TRDP
NRD
twdsu
twdhld
注册或内存
地址
trcsu
TRACC
trdhld
D0-D7
数据
trshld
NCS
Tcscs *注
从寄存器或存储器缓冲区的I / O读周期
参数
tWR的
TRD
twcsu
tWASU
twahld
twdsu
twdhld
TRACC
trdhld
trcsu
trshld
Tcscs
[11]
描述
把脉冲宽度
阅读脉宽
芯片选择设置以NWR
A0地址建立时间
A0地址保持时间
数据写HIGH建立时间
后数据保持时间写高位
数据读取低后有效
读高后数据保持
芯片选择低到低阅读
读高后芯片选择保持
NCS无效，以NCS断言
[11]
分钟。
65纳秒
65纳秒
NS 0
65纳秒
10纳秒
10纳秒
5纳秒
20纳秒
5纳秒
NS 0
NS 0
85纳秒
典型
马克斯。
25纳秒
注意：
11. NCS可以保持低多读周期提供NRD线循环。 I / O写周期时间在自动模式下公司为150 ns最小。
文件编号： 38-08009牧师**
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