ADS8519
SLAS462 - 2007年6月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
封装/订购信息
(1)
产品
最低
INL
（ LSB ）
NO
MISSING
CODE
最低
SINAD
（ dB）的
规范
温度
范围
包
领导
5×5 QFN -32
ADS8519IB
±2
16
90
-40 ° C至85°C
SSOP-28
DB
包
代号
RHB
订购
数
ADS8519IBRHB
ADS8519IBRHBR
ADS8519IBDB
ADS8519IBDBR
ADS8519IRHB
ADS8519IRHBR
ADS8519IDB
ADS8519IDBR
运输
媒体， QTY
管， 50
磁带和卷轴， 2000
管， 50
磁带和卷轴， 2000
管， 50
磁带和卷轴， 2000
管， 50
磁带和卷轴， 2000
5×5 QFN -32
ADS8519I
±3
15
87
-40 ° C至85°C
SSOP-28
RHB
DB
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站： www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
R1
IN
模拟输入
R2
IN
R3
IN
REF
DGND ， AGND2
接地电压差
V
ANA
V
DIG
到V
ANA
V
DIG
数字输入
最高结温
内部功耗
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
±25 V
±25 V
±25 V
+V
ANA
+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V
±0.3 V
6V
0.3 V
6V
-0.3 V至+ V
DIG
+ 0.3 V
165°C
700毫瓦
300°C
产品预览
电气特性
在T
A
= -40 ° C至85° C，F
s
= 250千赫，V
DIG
= V
ANA
= 5V时，使用内部参考值（除非另有规定）
ADS8519I
参数
决议
模拟量输入
电压范围
(1)
阻抗
(1)
电容
吞吐速度
转换周期时间
吞吐率
DC精度
INL
DNL
积分非线性误差
微分线性误差
–3
–2
3
2
–2
–1
2
1
最低位
(2)
最低位
采集和转换
250
4
250
4
μs
千赫
50
50
pF
测试条件
民
典型值
最大
16
民
典型值
最大
16
位
ADS8519IB
单位
(1)
(2)
2
± 10 V ， ± 5 V ， 0 V至8.192 V等（见
表3）
LSB是指至少有显著位。对于± 10 V输入范围，一个LSB为305
μV.
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ADS8519
2007 ，德州仪器
