ADS8506
SLAS484A - 2007年9月 - 修订2007年10月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
封装/订购信息
(1)
产品
最低
INL
（ LSB ）
±0.45
NO
MISSING
CODE
12
全
规模
错误
(%)
±0.25
规范
温度
范围
-40 ° C至85°C
包
领导
包
代号
订购
数
ADS8506IBDW
ADS8506IBDWR
ADS8506IDW
ADS8506IDWR
运输
媒体， QTY
管， 20
磁带和卷轴1000
管， 20
磁带和卷轴1000
ADS8506IB
SO-28
DW
ADS8506I
±0.45
12
±0.5
-40 ° C至85°C
SO-28
DW
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站： www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
单位
R1
IN
模拟输入
R2
IN
REF
DGND ， AGND2
接地电压差
V
ANA
V
DIG
到V
ANA
V
DIG
数字输入
最高结温
存储温度范围
内部功耗
引线温度（焊接，从案例1.6毫米10秒）
(1)
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
±25 V
±25 V
+V
ANA
+ 0.3 V至AGND2 - 0.3 V
±0.3 V
6V
0.3 V
6V
-0.3 V至+ V
DIG
+ 0.3 V
165°C
-65_C到150_C
700毫瓦
260°C
电气特性
在T
A
= -40 ° C至85° C，F
S
= 40 kHz时， V
DIG
= V
ANA
= 5伏，并且使用内部参考和固定电阻器， （见
图43）
除非
另有规定ED 。
参数
决议
模拟量输入
-10
电压范围
SEE
表1
0
0
阻抗
电容
吞吐速度
转换时间
完整的周期
吞吐率
DC精度
INL
积分非线性误差
-0.45
±0.15
0.45
-0.45
±0.15
0.45
最低位
(1)
采集和转换
40
15
25
15
25
千赫
μs
45
45
pF
10
5
4
-10
0
0
10
5
4
V
测试条件
ADS8506IB
民
典型值
最大
12
MINADS8506I
民
典型值
最大
12
单位
位
(1)
2
LSB表示最低有效位。一个LSB为± 10 V输入范围是305
μV.
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ADS8506
2007 ，德州仪器
