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ADP3191
图11和图12示出了典型的瞬态响应
使用这些补偿值。
C
IN
选择和
输入电流的di / dt还原
在电感电流连续模式时，电源电流
高边MOSFET大约一个方波的占空比
比等于
n
× V
OUT
/V
IN
和一个第n个的振幅
最大输出电流。为了防止大的电压瞬变，
低ESR的输入电容，满足最大均方根电流，
必须使用。最大均方根电容器电流由下式给出
I
CRMS
=
D
×
I
O
×
1
1
N
×
D
(34)
05648-012
I
CRMS
=
0.108
×
119 A
×
1
1
=
14.7 A
4
×
0.108
图11.典型的瞬态响应
对于设计实例负载阶跃
电容器制造商的额定纹波电流通常是
基于只有两千小时的寿命。由此，可取的
进一步减免电容还是要选择额定电压为一个电容
温度高于所需。多个电容器可
平行放置，以满足在大小或高度要求
设计。在这个例子中，输入电容器组由形成
2 2700 μF ，16V的铝电解电容器和八
4.7 μF陶瓷电容。
以降低输入电流的di / dt到时建议的水平以下
谁料最大0.1 A /微秒，一个额外的小型电感器
（L > 370 nH的18 A） ，应在转换器之间插入
和电源总线。这个电感器也充当之间的过滤器
所述转换器和所述主电源。
05648-013
100
图12.典型的瞬态响应
对于设计实例负载释放
效率（％）
80
60
40
20
05648-014
V
OUT
= 1.3V
T
A
= 25°C
0
0
20
40
60
80
100
120
输出电流（A ）
图13.效率图10的电路与输出电流
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