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ADP3190
C
OUT
选择
所需的输出解耦调节器通常是
推荐使用英特尔的各种处理器和平台。
此外，以确定哪些是必需的，使用一些简单的设计
是基于同时具有堆积和陶瓷准则
电容器而制得。
的网络连接第一个就是要选择陶瓷电容的总量
距离。这是基于数量和电容器的类型是
使用。陶瓷电容器的最佳位置是在里面
插座，具有尺寸1206的1218作为物理极限。
附加的陶瓷电容器可以放置沿外
插座的边缘为好。
推荐200 μF至300 μF的陶瓷相结合的价值观，
通常由多个10 μF或22 μF的电容。选择
陶瓷电容器的数量，并且找到总的陶瓷
电容（C
Z
).
接着，有强加的总量的上限
大容量电容（C
X
）考虑上即时的VID时
输出（电压步骤Ⅴ的电压步进
V
在时间t
V
同
V的错误
ERR
） 。下限是基于满足电容
tance负载释放给定的最大负载阶跃，
I
O
和
允许的最大过冲。负荷的总量
释放电压被给定为
Δ
V
O
=
Δ
I
O
×
R
O
+
Δ
V
rl
，其中，
Δ
V
rl
是允许的最大过冲电压。
L
×
Δ
I
O
C
z
C
x
(
民
)
≥
n
×
R
+ Δ
V
rl
×
V
O
VID
Δ
I
O
C
x
(
最大
)
≤
本示例使用18 ， 10 μF 1206 MLC电容（C
Z
= 180 μF).
上即时阶跃变化为450毫伏在230微秒用的VID
解决2.5 mV的错误。最大允许负载释放
过冲对于这个例子是50毫伏，从而解决了散
电容的产量
320 nH的
×
95 A
C
x
(
民
)
≤
180
μF
=
3.65 μF的
4
×
1.0 m
+
50毫伏
×
1.3 V
95 A
C
x
(
最大
)
≤
4
×
4.6
2
×
(
1.0 m
)
2
×
1.3 V
320 nH的
×
450毫伏
×
2
230 μs
×
1.3 V
×
4
×
4.6
×
1.0 mΩ
1
180
μ
F
=
1
+
450毫伏
×
320 nH的
48.5 μF的
哪里
K
= 4.6.
使用具有典型ESR 8 560 μF铝电容器聚
5 mΩ的每一个产量
C
X
= 4.48 μF的用
R
X
= 0.63 mΩ.
最后一次检查应保证的的ESL
大容量电容（L
X
）足够低，以限制高频
负载变化时响起。这是通过使用测试
L
x
≤
C
z
×
R
O
×
Q
2
L
x
≤
180
μF
×
(
1 m
)
×
2
=
360 pH值
2
2
(14)
(12)
2
V
VID
NKR
O
V
V
×
×
1
+
t
v
V
×
L
1
C
z
2
nK
2
R
O
V
VID
V
L
(13)
哪里
Q
被限制为2的平方根，以确保一个极为
阻尼系统。在这个例子中，
L
X
大约350 pH值
为8 A1-多边形的电容器，其满足了这一限制。
如果设置了L
X
所选择的大容量电容器组过大，则
陶瓷电容器的数目可能需要的话可以增大
有振铃。
对于这种多模式控制技术，全瓷的设计可以
可以使用只要公式11 ，公式12的条件下，
和式（13）得到满足。
V
哪里
K
=
1
n
ERR
V
V
为满足这些表达式和瞬态条件
对此，大容量电容银行的ESR （R
X
）应少
大于2倍的下垂电阻（R
O
） 。如果C
X（ MIN）的
较大
比C
X（ MAX）的
时，系统不能满足VID上的即时试样
fication并且可能需要使用较小的电感器或更
相（及可能需要的开关频率，以增加对
保持输出纹波相同） 。
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