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ADM809 / ADM810 ，典型性能特征
30
V
CC
= 5V
25
V
CC
= 3V
200
V
OD
= V
TH
– V
CC
180
160
140
120
100
80
V
OD
= 20mV的
V
OD
= 10mV的
180
160
140
120
100
80
60
V
OD
= V
TH
– V
CC
V
OD
= 10mV的
20
V
OD
= 20mV的
15
10
60
40
V
CC
= 1V
5
V
OD
= 100mV的
V
OD
= 200mV的
–20
0
20
40
60
温度 - C
80 85
40
20
0
–40
V
OD
= 100mV的
V
OD
= 200mV的
–20
0
20
40
60
温度 - C
80 85
20
80 85
0
–40
–20
0
20
40
60
温度 - C
0
–40
图3.电流和温
perature （ ADM8_L / M / R / S / T） （空载）
240
239.5
239
238.5
238
237.5
237
图4.掉电复位延迟
与温度的关系ADM8_L / M
1.002
图5.掉电复位延迟
与温度的关系ADM8_T / S / R
1.0015
电源电压
5V
峰到峰
1.001
T
1.0005
1
复位输出
电压
ADM809T
ADM809R
1.0
236.5
236
235.5
235
–40
–20
0
20
40
60
温度 - C
80 85
T
0.9995
0.999
–40
2
–20
0
20
40
60
温度 - C
80 85
CH1 2.00V
CH2
2.00V M 200毫秒CH1
2.00V
图6.掉电复位延迟
与温度的关系ADM8_R
图7.归复位电压
阈值与温度
400
350
300
250
200
150
100
ADM8_R/S/T
50
1
10
100
1000
复位比较OVERDRIVE ，V
TH
– V
CC
（毫伏）
0
图8. RESET输出电压 -
电源电压
ADM8_L/M
图9.最大瞬态持续时间
化，而不会导致复位脉冲
- 复位比较OVERDRIVE
–4–
第0版
