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SN65MLVD2
SN65MLVD3
SLLS767 - 2006年11月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
产品型号
SN65MLVD2DRBT
SN65MLVD2DRBR
SN65MLVD3DRBT
SN65MLVD3DRBR
(1)
功能
M- LVDS I型接收器
M- LVDS I型接收器
M- LVDS 2型接收器
M- LVDS 2型接收器
MF2
MF2
MF3
MF3
最热
包装/载体
8引脚SON /小型磁带和卷轴
8引脚SON /磁带和卷轴
8引脚SON /小型磁带和卷轴
8引脚SON /磁带和卷轴
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站： www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
V
CC
电源电压范围
(2)
输入电压范围
输出电压范围
RE
A或B
R
人体
静电放电
模型
(3)
所有其他引脚
A，B
机器型号
(4)
电场感应充电装置模型
(5)
连续功率耗散
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
所有引脚
所有引脚
(1)
价值
-0.5到4
-0.5到4
-1.8 4
-0.3 4
±7
±9
±200
±2
见耗散额定值表
单位
V
V
V
V
kV
V
kV
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值，除了差分I / O总线的电压，是相对于网络的接地端子。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法A114 -A 。总线引脚强调，相对于GND的公共连接
和V
CC
.
经测试符合JEDEC标准22测试方法A115 -A 。
经测试符合EIA - JEDEC JESD22- C101C 。
包装耗散额定值
(1)
包
8 -SON DRB
(1)
(2)
PCB类型
低K
高K
T
A
≤
25°C
额定功率
280毫瓦
662毫瓦
降额因子
(2)
上述牛逼
A
= 25°C
2.80毫瓦/°C的
6.62毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
112毫瓦
264毫瓦
热耗散在焊接下使用PowerPad没有通过对每种类型电路板的考虑。
这是结到环境的热阻的倒数时，板装且没有空气流动。
热特性
参数
θ
JB
θ
JC
P
D
结至电路板的热阻
结到外壳热阻
器件的功耗
RE在0 V ，C
L
= 15 pF的，V
ID
= 400 mV时， 125 MHz的
测试条件
民
典型值
89
98
90
最大
单位
°
C / W
°
C / W
mW
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3
