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表24中。
锁定位编程信号波形和锁定位验证信号
波形参数（续）
12兆赫
符号
tCVPX
tPHCX
tPPGX
tGLGX
tGHPX
tPLDV
tPLDX
tTVDV
tTXDX
tPHDZ
tPLCV
参数
码输入有效到
V
PP
上升沿建立时间
码输入从有效
V
PP
高保持时间
公式
36 tOSC的
1 tOSC的
36 tOSC的
民
3
83.3
3
90
36 tOSC的
36 tOSC的
0
36 tOSC的
0
0
36 tOSC的
3
s
3
s
3
3
110
最大
单位
s
ns
s
s
s
s
V
PP
on
V
PP
销到PROG低建立时间
PROG低脉冲宽度
V
PP
on
V
PP
引脚从PROG高保持时间
数据输出有效
V
PP
低延迟
从数据输出
V
PP
低延迟
数据输出T代码有效的延迟有效
数据输出T代码无效的保持时间有效
数据输出高阻从
V
PP
高延迟
V
PP
低到T代码有效的建立时间
V
PP
脚在推动：
为0V时， P3包含测试代码
为5V时， P3包含高阶或低阶地址
到V
PP
在编程过程中循环
测试引脚驱动：
为5V时， P3包含高位地址
在其他情况下为0V
EPROM擦除
（包窗
只）
擦除特性
擦除EPROM擦除码阵列，该阵列的加密和锁定位的报税表中
荷兰国际集团的部件的全部功能。
叶擦除所有的EPROM单元在1的状态（ FF ） 。
推荐的擦除过程是暴露于紫外光（ 2537埃）至一个
综合剂量至少15 W-秒/厘米
2
。露出的EPROM的紫外灯
12,000
μW /厘米
2
等级30分钟后，在约25毫米的距离，就足够了。
1小时的曝光，建议与大多数标准橡皮擦。
对EPROM的擦除开始时，芯片被暴露于光以波长发生
长度超过约4000较短。由于阳光和荧光灯有
在这个波长范围内，暴露于这些光源在延长的时间（约
1周的阳光，或3年的房间级荧光灯）可能会导致意外的
擦除。如果一个应用程序受试者的装置，这种类型的曝光，建议
该不透明的标签被放置在该窗口。
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T8xC5101/02
4233G–8051–03/03
