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优势
TM
半导体
创新照明
氮化铟镓： DDX - XJX
在Ta = 25电气特性
0
C
产品型号
DDC ， DDB
DDT
VF @如果能力= 20 mA
MIN 。 （V ）
2.9
2.9
TYP 。 （V ）
3.2
3.4
MAX 。 （V ）
3.8
4.0
VR @ IR = 10
A
MIN 。 （V ）
5.0
5.0
正向电压， Vf的测量为± 0.1 V的精度
绝对最大额定值
最大值
直流正向电流
峰值脉冲电流; （ TP ≤为10μs ，占空比= 0.005 ）
20
DDB = 300
DDC ， DDT = 400
反向电压
ESD阈值（ HBM）的
LED结温
工作温度
储存温度
功耗（室温）
热阻结/焊点
5
2
125
-40 … +100
-40 … +100
85
230
V
kV
C
C
C
mW
K / W
单位
mA
mA
5
07/05/2007 V12.0
