PD - 95552A
汽车MOSFET
特点
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HEXFET
功率MOSFET
D
IRLR2908PbF
IRLU2908PbF
V
DSS
= 80V
R
DS （ ON）
= 28m
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
G
S
I
D
= 30A
描述
专为汽车应用，这HEXFET 功率MOSFET
采用最新的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片
区。这HEXFET功率MOSFET的附加功能是175 ° C的结工作
温度低RθJC ，开关速度快，提高了重复性雪崩额定值。
这些功能结合起来，使这个设计非常高效和可靠的设备
在汽车应用和各种其它应用程序使用。 \\
对D-朴被设计用于使用气相，红外，或波面安装
焊接技术。直引线型（ IRFU系列）是通孔安装
应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
D- PAK
IRLR2908
I- PAK
IRLU2908
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （参见图9）中
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
39
28
30
150
120
0.77
± 16
180
250
看到图12a ， 12b中， 15,16
2.3
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
h
峰值二极管恢复的dv / dt
e
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
雪崩电流
i
d
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
参数
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
典型值。
马克斯。
1.3
40
110
单位
° C / W
j
–––
–––
–––
www.irf.com
1
12/7/04
