ISO7220A ， ISO7220B ， ISO7220C ， ISO7220M
ISO7221A ， ISO7221B ， ISO7221C ， ISO7221M
SLLS755H - 2006年7月 - 修订2008年5月
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SOIC - 8封装的热特性
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
θ
JA
θ
JB
θ
JC
P
D
(1)
结对空
结至电路板的热阻
结到外壳热阻
器件的功耗
ISO722xM
V
CC1
= V
CC2
= 5.5 V ，T
J
= 150°C, C
L
= 15 pF的，
输入一个150 Mbps的50％占空比的方波
测试条件
低K热阻
(1)
高K热阻
民
典型值
212
122
37
69.1
390
mW
° C / W
最大
单位
经测试符合低K或High -K EIA / JESD51-3的含铅表面热指标的定义贴装封装。
250
225
安全限流 - 毫安
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
V
CC1,2
在3.6 V
V
CC1,2
在5.5 V
50
100
150
T
C
- 外壳温度 - C
200
图5. SOIC-8
θ
JC
符合IEC 60747-5-2的热降额曲线
设备功能表
表1. ISO7220x或ISO7221x
(1)
输入端V
CC
PU
PD
(1)
输出侧V
CC
PU
PU
输入
H
L
开放
X
输出OUT
H
L
H
H
PU =电（VCC
≥
3.0V ） ; PD =断电（VCC
≤
2.5V ） ; X =无关; H =高电平;
L =低电平
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