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SDRAM （ Rev.1.1 ）
单数据速率
Feb.2000
三菱的LSI
M2V56S20 / 30 /40 / TP -6 ， -7 ， -8
256M同步DRAM
[写了写打断]
突发写操作可以通过新的任何活动的银行写中断。列随机访问
允许的。写入写入间隔至少1个CLK 。
写了写中断（ BL = 4 ）
CLK
命令
A0-9,11-12
写
Ya
写
Yb
写
Yc
A10
BA0-1
DQ
0
00
Da0
Da1
Da2
0
00
Db0
0
10
Dc0
Dc1
Dc2
Dc3
[写由打断阅读]
突发写操作可以通过任何银行主动读取中断。随机列允许访问。
写读间隔至少1个CLK 。 DQ上的输入数据在中断读周期是
"Don't Care" 。
通过写读（ CL = 2 ， BL = 4 ）中断
CLK
命令
A0-9,11-12
A10
BA0-1
DQ
法案
Xa
Xa
00
写
Ya
0
00
Da0
Da1
读
Yb
0
00
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
不关心
三菱电机
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