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德次
已经呃
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pm
en
t
三菱微型计算机
M30201集团
单芯片16位CMOS微机
附录并行I / O模式
并行I / O模式
并行I / O模式是通过在图中所示的连接进入CC- 2和CC- 3，然后转动
在V
PPH
上的电源。在这种模式下， M30201 （闪存版）操作相似的方式
从三菱的NOR闪存M5M28F101 。但是，请注意，有一些区别
对于不可用的读出装置识别的微型电子计算机（函数的函数
代码）和相关的内存容量问题。
表CC - 2示出了在并行I / O模式的M30201和M5M28F101之间销关系。
P
re
LIM
in
ar
y
表CC -2。并行I / O模式引脚的关系
M30201 （闪存版）
V
CC
V
SS
V
CC
M5M28F101
V
CC
V
SS
V
SS
地址输入
数据I / O
P6
0
到P6
3
, P3
0
到P3
3
,
P1
0
到P1
7
, P5
0
P0
0
为P0
7
A
0
到A
15
, A
17
D
0
到D
7
OE输入
P4
1
OE
CE输入
P4
3
P5
1
CE
WE输入
P4
0
WE
V
RFY
输入（注）
注： V
RFY
输入只选择只读或读/写模式，并且不具有任何销
与它有关的M5M28F101相关联。
微电脑模式
并行I / O模式
CPU改写模式
标准的串行I / O模式
00000
16
SFR
SFR
SFR
00400
16
内存
内存
内存
YYYYY
16
DF000
16
集体
可擦除/
可编程
区域
引导ROM
区域
（ 3.5K字节）
引导ROM
区域
（ 3.5K字节）
DFDFF
16
XXXXX
16
用户ROM
区域
FFFFF
16
注1：在CPU改写和标准串行I / O模式中，用户的ROM是唯一的可擦除/可编程的区域。
注2 ：在并行I / O模式中，区域被擦除/编程可以由地址A17的输入来选择。
用户ROM区域被选择时，该地址输入是高的，并引导ROM区域被选择
当该地址输入是低的。
集体
可擦除/
可编程
区域
用户ROM
区域
集体
可擦除/
可编程
区域
用户ROM
区域
型号
M30201F6
XXXXX
16
F4000
16
YYYYY
16
00BFF
16
图CC-1 。闪存版的方框图
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