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三菱微型计算机
M30201集团
单芯片16位CMOS微机
附录并行I / O模式
编程验证命令（ C0
16
)
该方案验证模式通过写命令代码“ C0进入
16
“在第一个总线周期和
验证数据是从数据I / O引脚输出（四
0
–D
7
）在第二总线周期。
擦除命令（ 20
16
+ 20
16
)
闪速存储器控制电路通过写命令码“ 20执行擦除操作
16
“在
P
re
LIM
in
ar
y
“00
16
“通过使用该程序，并写入编程验证命令。
见图CC- 4进行擦除流程图的一个例子。
第一总线周期和在第二总线周期相同的命令再编码。擦除操作
需要大约20毫秒。等待20毫秒或更多的用户之前转到下一个处理。
在此之前的擦除命令可以执行，所有的存储单元被擦除必须有数据
注1：擦除操作不被写入擦除命令一次立即完成。该
每次执行擦除命令后，用户必须执行擦除- verify命令。而如果
验证失败，用户需要重复执行擦除命令，直到验证通过。
擦除验证命令（ A0
16
)
擦除验证模式被写入命令代码“ A0进入
16
“在第一个总线周期和
验证数据是从数据I / O引脚输出（四
0
–D
7
）在第二总线周期。
注1 ：如果有任何未擦除的存储位置过程中遇到的擦除 - 验证操作时，一定要
执行擦除和擦除验证操作一次。在这种情况下，然而，用户不
需要写入数据“ 00
16
“内存删除前。
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