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超越
TM
低门槛
硅肖特基跨接四系列
V 1.00
MA4E2544L-1282
特点
极低的寄生Capitance和电感
表面安装的微波电路，无
引线键合要求
n
坚固HMIC建设与聚酰亚胺划痕
保护
n
可靠，多层金属化与扩散
道闸， 100 ％稳定烘烤（ 300
°C,
16小时）
n
低敏感性的ESD损伤
n
n
机箱样式1282 - 冠捷
A
B
描述
该MA4E2544L - 1282系列超越
TM
低门槛，
硅肖特基跨接四路二极管均选用
该专利的异类微波集成电路
（ HMIC ）的过程。 HMIC电路由硅底座的
该形式的二极管或通路导体嵌入玻璃
电介质，其作为低色散，低损失，
微带传输介质。硅的组合
和玻璃允许HMIC器件具有优异的损耗和
低调功耗特性，可靠的
装置。
在众志成城的肖特基器件是极好的选择
电路要求梁式引线器件的寄生效应小
加上芯片的优越的机械性能。
在超越结构采用非常低的电阻硅
过孔到肖特基接触连接到金属化
安装在芯片上的底面垫。这些
设备是可靠的，可重复的，并且以较低的成本性能
解决了传统设备。它们具有较低的
易受静电放电比传统的光
导致肖特基二极管。
中的制造中使用的多层金属化
超越肖特基结包括一个铂扩散
屏障，它允许所有设备要进行16小时的
非经营稳定烤300
°C.
在“ 0505 ”纲要允许表面贴装位置和
多功能的极性方向。
C
D
E
D
英寸
MILLIMETERS
暗淡
A
B
C
平方米。
E
分钟。
0.0445
0.0445
0.0040
0.0128
0.0128
马克斯。
0.0465
0.0465
0.0080
0.0148
0.0148
分钟。
1.130
1.130
0.102
0.325
0.325
马克斯。
1.180
1.180
0.203
0.375
0.375
等效电路
应用
该MA4E2544L - 1282系列超越
TM
低门槛
硅肖特基跨接四路二极管推荐
通过Ku波段的频率在微波电路中使用的
低功率应用中，如混频器，分谐波混频器，
检测器和限制器。该HMIC建设有利于
直接更换更脆弱梁式引线二极管的
对应的超越二极管，其可以连接到一个
硬或软的基板电路与焊料。
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