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富士通半导体
数据表
DS05-11429-3E
手机内存FCRAM
TM
CMOS
32位（2M字× 16位）
手机专用内存
MB82DBS02163C
-70L
■
描述
富士通MB82DBS02163C是一个CMOS快速循环随机存储器（ FCRAM * ）异步
静态随机存取存储器（ SRAM）的接口含有33554432存储器中的16位格式访问。
MB82DBS02163C使用的是富士通FCRAM先进的核心技术，并利用在提高整合
相较于普通的SRAM 。该MB82DBS02163C采用异步页模式和同步突发
模式为用户配置选项快速内存访问。
这MB82DBS02163C适合于移动应用，如蜂窝手机和PDA 。
*： FCRAM是富士通有限公司，日本的商标
■
特点
异步SRAM接口
快速访问时间：吨
CE
= 70 ns（最大值）
8个字第接入能力：吨
PAA
= 20 ns（最大值）
突发读/写访问能力：吨
AC
= 12 ns（最大值）
低电压工作条件： V
DD
= 1.65 V至1.95 V
宽工作温度：T已
A
= -30 ° C至+85°C
由LB和UB字节控制
低功耗：我
DDA1
= 30 mA最大
I
DDS1
= 80
A
最大
各种省电模式：睡眠
4 M位偏
8 M位偏
出货形式：晶圆/芯片， 71球塑料FBGA封装
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