BFT51F.A

NPN硅高频三极管

描述：

该

ASI BFT51F.A

是专为

高频放大器的应用。

封装类型TO- 126

最大额定值

I

C

V

CE

P

DISS

T

J

T

英镑

θ

JC

O

O

500毫安

20 V

：3.0 W @ T

C

= 25 C

-65℃到+175

-65℃到+175

50 C / W

O

O

O

O

无

特征

符号

BV

首席执行官

BV

CER

BV

CBO

I

首席执行官

I

CES

I

EBO

h

FE

f

t

C

ob

T

C

= 25 C

O

测试条件

I

C

= 5.0毫安

I

C

= 1.0毫安

I

C

= 1.0毫安

V

CE

= 5.0 V

V

CE

= 10 V

V

EB

= 3.0 V

V

CE

= 5.0 V

V

CE

= 5.0 V

V

CB

= 5.0 V

I

C

= 100毫安

I

C

= 300毫安

I

C

= 300毫安

F = 100 MHz的

F = 1.0 MHz的

R

BE

= 100

最低

10

18

20

典型

最大

单位

V

V

V

1.0

100

1.0

40

1.0

2.0

4.0

mA

A

mA

---

GHz的

pF

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1202

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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