SOT89 NPN硅平面
高压晶体管
第3期 - 1996年1月
7
互补式 - BFN19
PARTMARKING详细信息 - DE
BFN18
C
E
C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
300
300
5
500
200
100
1
-65到+150
B
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
过渡
频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
25
40
30
典型值。
70
典型值。
1.5
兆赫
pF
分钟。
300
300
5
100
20
100
0.5
0.9
马克斯。
V
V
V
nA
A
nA
V
V
单位
条件。
I
C
=100A
I
C
=1mA*
I
E
=100A
V
CB
=250V
V
CB
= 250V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=3V
I
C
= 20mA时，我
B
=2mA
I
C
= 20mA时，我
B
=2mA
I
C
= 1mA时， V
CE
=10V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 30mA时V
CE
=10V*
I
C
= 20mA时， V
CE
=10V
f=20MHz
V
CB
=30V,f=1MHz
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
对于典型特征图看FMMTA42数据表。
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