BDW94 / C PNP外延硅晶体管
典型性能特性
图1.直流电流增益
100k
图2.集电极 - 发射极饱和电压
-10
V
CE
= -3V
10k
V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
I
C
= 250 I
B
h
FE
，直流电流增益
-1
1k
100
-0.1
-1
-10
-100
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.基射极电压上
-20
1000
图4.输出电容
f=1MHz
I
E
=0
V
CE
= -3V
I
C
[A] ，集电极电流
-16
-12
C
ob
[ pF的] ， CAPACTIANCE
100
-8
-4
-0
-0.0
-0.8
-1.6
-2.4
-3.2
-4.0
10
-1
-10
-100
V
BE
[ V]时，基极发射极电压
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
图5.安全工作区
-100
图6.功率降额
120
I
C
[A] ，集电极电流
100
I
C
马克斯。
-10
5毫秒1毫秒
100uS
P
C
[W] ，功率耗散
-1000
80
DC
60
-1
40
BDW94
BDW94A
BDW94B
BDW94C
-0.1
-1
-10
-100
20
0
0
50
o
100
150
200
250
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
锝[C] ，外壳温度
3
BDW94 / C版本B
www.fairchildsemi.com
