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THS9000
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SLOS425B - 2003年12月 - 修订2006年4月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
可选项
封装器件
(1)
THS9000DRDT
THS9000DRDR
THS9000DRWT
THS9000DRWR
(1)
(2)
2× 2的QFN
(2)
套餐类型
传输介质， QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文件，或查看TI网站
www.ti.com 。
在使用PowerPad是所有其他引脚的电隔离。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度（除非另有说明）
(1)
单位
电源电压， GND到V
S
输入电压
连续功率耗散
最高结温，T
J
最高结温，连续运转，长期可靠性，T
J
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
HBM
ESD额定值：
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
(2)
5.5 V
GND到V
S
见耗散额定值表
150°C
125°C
-65 ℃150 ℃的
300°C
2000
1500
100
在任何情况下的绝对最大额定值是由硅工艺的制约的限制。强调以上这些评级可能
会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会降低设备的可靠性。这些都是
只强调额定功率，以及设备在这些功能操作或超出规定的其他条件是不是暗示。
最高结温为连续运行是由包约束的限制。操作高于此温度可
导致可靠性降低和/或该设备的寿命。
额定功耗表
包
DRD
(2) (3)
DRW
(2) (3)
(1)
(2)
(3)
Θ
JA
（ ° C / W）
91
91
额定功率
(1)
T
A
≤
25°C
1.1 W
1.1 W
T
A
= 85°C
440毫瓦
440毫瓦
额定功率为125 ° C的结温是确定的。最终PCB的热管理应努力保持
结温低于125 ℃，以获得最佳性能。
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
该THS9000集成在芯片下侧的使用PowerPad 。这作为一个散热器和必须连接到热
散热面进行适当的功率耗散。如果不这样做，可能会导致超过最高结温，这可能
永久性损坏设备。请参见TI技术简介SLMA002关于利用使用PowerPad 的更多信息
热增强型封装
推荐工作条件
民
电源电压
经营自由的空气温度，T
A
电源电流
2.7
-40
100
喃
最大
5
85
单位
V
°C
mA
2
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