TLC1550I ， TLC1550M ， TLC1551I
10位模拟数字转换器
具有并行输出
SLAS043G - 1991年5月 - 修订2003年11月
D
功耗。 。 。 40毫瓦最大
D
高级LinEPIC单多晶工艺
D
D
D
D
D
提供关闭电容搭配的
更好的精度
快速并行处理DSP和
P
接口
内部或外部时钟可以
二手
转换时间。 。 。 6
s
总非调整误差。 。 。
±1
LSB（最大值）
CMOS技术
或DW包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TLC1550x和TLC1551的数据采集
模拟 - 数字用一个10位的转换器（ADC ） ，
开关电容逐次逼近型网络
工作。高速，三态并行端口直接
接口的数字信号处理器（DSP）或
微处理器（μP）的系统数据总线。通过D0
D9是数字输出端与D 0为
所述至少显著位（LSB） 。独立的电源
用于模拟和数字部分的端子
尽量减少在电源引线的噪声。
此外，该数字功率被分成两个
份，以较低电流逻辑从分离
更高的电流巴士司机。外部时钟可以是
适用于CLKIN覆盖内部系统
时钟如果需要的话。
该TLC1550I和TLC1551I的特点为
操作从 - 40 ° C至85°C 。该TLC1550M是
在表征的整个军用范围 - 55°C
至125 ℃。
REF +
参考=
ANLG GND
艾因
ANLG V
DD
DGTL GND1
DGTL GND2
DGTL V
DD1
DGTL V
DD2
EOC
D0
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
RD
WR
CLKIN
CS
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
参见机械数据为JW
封装。
艾因
ANLG V
DD
DGTL GND1
NC
DGTL GND2
DGTL V
DD1
DGTL V
DD2
ANLG GND
REF-
REF +
NC
RD
WR
CLKIN
5
6
7
8
9
10
4
NC - 无内部连接
包
陶瓷DIP
(J)
—
TLC1550MJ
—
FK或Fn包装
（ TOP VIEW ）
3 2 1 28 27 26
25
24
23
22
21
20
11
19
12 13 14 15 16 17 18
CS
D9
D8
NC
D7
D6
D5
可选项
TA
陶瓷芯片载体
（ FK ）
—
TLC1550MFK
塑料芯片载体
（ FN）的
TLC1550IFN
TLC1551IFN
SOIC
（ DW ）
TLC1550IDW
TLC1551IDW
—
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。这些
电路已合格，根据MIL -STD- 883C ，以保护该器件免受高达2kV的静电放电（ ESD ）
方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用高于任何电压的最大额定
电压对这些高阻抗电路。在储存或处理，设备引线应短接在一起或设备
应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平，
优选VCC或地。
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除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
邮政信箱655303
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EOC
D0
D1
NC
D2
D3
D4
版权
2003年，德州仪器
1
