SENSITRON
半导体
技术参数
数据表171 ， REV 。 B
原型号SHD2263
SHD226403
SHD226403R
密封功率MOSFET - N沟道
产品特点：
200伏， 0.21欧姆， 14A MOSFET
隔离密封金属封装
快速开关
低R
DS （ ON）
陶瓷密封件可（添加一个“C”的零件编号，即SHDC226403 ）
到IRFY240类似
最大额定值
所有评级ARE AT＆T
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D（上）
I
DM
T
OP
/T
英镑
R
θJC
P
D
分钟。
-
-
-
-55
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
±20
14
±56
+150
2.1
60
单位
伏
安培
安培
°C
° C / W
瓦
等级
栅极至源极电压
ON-状态下的漏电流V
DS
≥
2V
DS （ON ） ，
V
GS
= 10V
漏电流脉冲
@ T
C
= 25°C
工作和存储温度
热阻，结到外壳
器件总功耗@ T
C
= 25°C
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250
A
漏极至源极通态电压
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A ，T
C
= 125°C
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
正向跨导
V
DS
≥
2V
DS （ ON）
, I
D
= 10A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8xMax 。评级，V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DD
= 100V,
上升时间
I
D
=14A,
关闭延迟时间
R
G
= 5.0,
下降时间
V
GS
= 10V
二极管的正向电压
T
C
= 25 ° C，I
S
= -14A,
V
GS
= 0V
反向恢复时间
T
J
= 150°C,
I
f
= I
S
,
di
F
/ DS = 100A /微秒，
输入电容
V
GS
= 0 V
输出电容
V
DS
= 25 V
反向传输电容
F = 1.0MHz的
符号
BV
DSS
V
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
2.0
6.0
-
0.1
0.2
-
17
52
36
30
-
350
-
1300
400
130
-
pF
0.25
1.0
100
-100
-
mA
nA
纳秒
-1.5
-
纳秒
伏
-
-
分钟。
200
-
-
典型值。
-
1.8
-
0.21
0.40
4.0
-
伏
S(1/)
马克斯。
-
2.1
单位
伏
伏
-
-
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