SENSITRON
半导体
技术参数
数据表4203 ， REV 。一
SHD224802
SHDCG224802
酷-MOS密封功率MOSFET
产品特点：
600伏， 0.07欧姆， 47A MOSFET
隔离密封金属封装
低R
DS （ ON）
;较低的有效电容
超低栅极电荷;非常高的dv / dt评级
陶瓷密封件与Glidcop引线（ SHDCG224802 ）
所有评级ARE AT＆T
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
GS
I
D25
I
D100
I
DM
E
AS
I
AR
P
D
-
T
J
/T
英镑
R
θ
JC
最大额定值
等级
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
±20
47
30
140
1800
20
300
6000
+150
0.5
单位
伏
安培
安培
安培
mJ
A
瓦
V /微秒
°C
° C / W
栅极至源极电压
通态漏电流
通态漏电流T = 100
o
C
漏电流脉冲
雪崩能量单脉冲
I
D
= 10A ，V
DD
= 50V
雪崩电流
器件总功耗
反向二极管dv / dt的;我
S
= 47A ; V
DS
= 480V
工作和存储温度
热阻，结到外壳
电气特性
特征
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
T = 150℃
静态漏极至源极通态电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
T = 150℃
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.7毫安
正向跨导
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=最大。评级，V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
门源漏FORWARD
V
GS
= 20V
门源漏反向
V
GS
= -20V
打开延迟时间
V
DD
= 380V
上升时间
I
D
= 47A TURN
关闭延迟时间
V
GS
=13V
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
标准
VERSION
R
DS （ ON）
GLIDCOP
VERSION
V
GS （ TH）
g
fs
分钟。
600
典型值。
-
马克斯。
-
单位
伏
-
-
-
-
2.1
-
0.07
0.18
0.06
0.16
3
40
0.08
-
0.07
-
3.9
-
伏
S(1/)
A
nA
I
DSS
I
GSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
V
SD
-
-
-
-
0.5
-
-
18
27
111
8
252
1.0
25
250
100
-100
-
-
165
12
320
1.2
纳秒
下降时间
R
G
= 1.8
栅极电荷V
DD
= 350V ，我
D
= 47A ，V
GS
= 10V
二极管的正向电压
I
F
= 47A ，V
GS
= 0V
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
反向恢复时间
T
J
= 25°C,
I
F
= 47A ，V
R
= 350V
的di / dt = 100A /微秒
输入电容
V
GS
= 0 V,
输出电容
V
DS
= 25 V,
反向传输电容
F = 1.0MHz的
-
-
nC
伏
t
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
580
6800
2200
145
-
-
纳秒
pF
221
西部工业苑
鹿园，NY 11729-4681
电话（ 631 ） 586-7600
传真（ 631 ） 242-9798
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电子邮件地址 - sales@sensitron.com
