ADV7340/ADV7341
模拟量输出规格
V
DD
= 1.71 V至1.89 V. PV
DD
= 1.71 V至1.89 V. V
AA
= 2.6 V至3.465 V. V
DD_IO
= 2.97 V至3.63 V. V
REF
= 1.235 V（外部驱动） 。
所有特定网络阳离子牛逼
民
给T
最大
（-40 ℃至+ 85 ℃） ，除非另有说明。
表5 。
参数
全驱动输出电流（满量程）
1
低压变频器的输出电流（满量程）
2
DAC至DAC匹配
输出合规，V
OC
输出电容，C
OUT
模拟输出延迟
3
DAC模拟输出偏斜
条件
R
SET
= 510 Ω, R
L
= 37.5 Ω
R
SET
= 4.12千欧，R
L
= 300 Ω
DAC 1至DAC 6
DAC 1 ， DAC 2 ， DAC 3
4 DAC ， DAC 5 ， 6 DAC
DAC 1 ， DAC 2 ， DAC 3
4 DAC ， DAC 5 ， 6 DAC
DAC 1 ， DAC 2 ， DAC 3
4 DAC ， DAC 5 ， 6 DAC
民
33
4.1
0
10
6
8
6
2
1
典型值
34.6
4.3
1.0
最大
37
4.5
1.4
单位
mA
mA
%
V
pF
pF
ns
ns
ns
ns
1
2
只适用于全驱动能力的DAC ，即DAC 1 ， DAC 2 ， DAC， 3 。
适用于所有DAC 。
3
从输入时钟到DAC输出满量程转换的50％点的上升沿的50％的点处测量输出延迟。
数字输入/输出特性
V
DD
= 1.71 V至1.89 V. PV
DD
= 1.71 V至1.89 V. V
AA
= 2.6 V至3.465 V. V
DD_IO
= 2.97 V至3.63 V.
所有特定网络阳离子牛逼
民
给T
最大
（-40 ℃至+ 85 ℃） ，除非另有说明。
表6 。
参数
输入高电压，V
IH
输入低电压，V
IL
输入漏电流，I
IN
输入电容，C
IN
输出高电压，V
OH
输出低电压，V
OL
三态泄漏电流
三态输出电容
条件
民
2.0
典型值
最大
0.8
±10
4
I
来源
= 400 μA
I
SINK
= 3.2毫安
V
IN
= 0.4 V, 2.4 V
2.4
0.4
±1.0
4
单位
V
V
μA
pF
V
V
μA
pF
V
IN
= V
DD_IO
第0版|第88 6
