ADuM2200/ADuM2201
特定网络阳离子
电气特性- 5 V工作电压
1
4.5 V ≤ V
DD1
≤ 5.5 V, 4.5 V ≤ V
DD2
≤5.5 V的所有最小值/最大值规格适用于整个推荐的工作范围，
除非另有说明。所有典型规格在T
A
= 25 ° C，V
DD1
= V
DD2
= 5 V.
表1中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流，每通道静态
输出电源电流，每通道静态
ADuM2200 ，总电源电流，双通道
2
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅BR级）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM2201 ，总电源电流，双通道
2
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅BR级）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
符号
I
DDI （ Q）
I
DDO （ Q）
民
典型值
0.4
0.5
最大
0.8
0.6
单位
mA
mA
测试条件
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
1.3
1.0
3.5
1.7
1.7
1.6
4.6
2.8
mA
mA
mA
mA
直流到1 MHz逻辑信号频率
直流到1 MHz逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
IA
, I
IB
V
IH
V
IL
10
0.7 (V
DD1
或V
DD2
)
1.1
1.3
2.6
3.1
+0.01
1.5
1.8
3.4
4.0
+10
mA
mA
mA
mA
μA
V
V
直流到1 MHz逻辑信号频率
直流到1 MHz逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
0 V ≤ V
IA
, V
IB
≤ V
DD1
或V
DD2
0.3
(V
DD1
or
V
DD2
)
(V
DD1
or
V
DD2
) 0.1
(V
DD1
or
V
DD2
) 0.5
5.0
4.8
0.0
0.04
0.2
0.1
0.1
0.4
逻辑高电平输出电压
V
OAH
V
OBH
V
V
V
V
V
I
Ox
= -20 μA ，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安， V
Ix
= V
IXL
逻辑低输出电压
V
OAL
V
OBL
交换特定网络阳离子
ADuM220xAR
最小脉冲宽度
3
最大数据速率
4
传播延迟
5
脉冲宽度失真， |吨
PLH
t
PHL
|
5
传播延迟偏斜
6
通道到通道匹配
7
输出上升/下降时间（ 10 ％至90 ％ ）
ADuM220xBR
最小脉冲宽度
3
最大数据速率
4
传播延迟
5
脉冲宽度失真， |吨
PLH
t
PHL
|
5
随温度变化
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
t
R
/t
F
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
10
20
5
第0版|第20页3
1000
1
20
150
40
100
50
10
100
50
3
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
