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ADuM1410/ADuM1411/ADuM1412
参数
10 Mbps的（仅BRW级）
V
DD1
电源电流
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
V
DD2
电源电流
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
所有型号
输入电流
符号
I
DD1 (10)
4.6
2.6
I
DD2 (10)
2.6
4.6
I
IA
, I
IB
, I
IC
,
I
ID
, I
CTRL1
,
I
CTRL2
,
I
关闭
V
IH
10
+0.01
3.8
6.5
+10
mA
mA
μA
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
0 ≤ V
IA
,V
IB
, V
IC
,V
ID
≤ V
DD1
或V
DD2
,
0 ≤ V
CTRL1
,V
CTRL2
≤ V
DD1
或V
DD2
,
V
关闭
≤ V
DD1
6.5
3.8
mA
mA
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
民
典型值
最大单位
测试条件
逻辑高输入阈值
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
逻辑低电平输入阈值
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
逻辑高电平输出电压
逻辑低输出电压
2.0
1.6
V
IL
0.8
0.4
V
OAH
, V
OBH
, V
DD1
, V
DD2
0.1
V
OCH
, V
ODH
V
DD1
, V
DD2
0.4
V
OAL
, V
OBL
,
V
OCL
, V
ODL
V
DD1
, V
DD2
V
DD1
, V
DD
0.2
0.0
0.1
0.04
0.1
0.2
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
Ox
= -20 μA ，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 400 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安， V
Ix
= V
IXL
交换特定网络阳离子
ADuM1411ARW和ADuM1412ARW
最小脉冲宽度
3
最大数据速率
4
传播延迟
5
脉冲宽度失真， |吨
PLH
t
PHL
|
5
传播延迟偏斜
6
通道到通道匹配
7
ADuM141xBRW
最小脉冲宽度
3
最大数据速率
4
传播延迟
5
脉冲宽度失真， |吨
PLH
t
PHL
|
5
随温度变化
传播延迟偏斜
6
通道到通道匹配，
同向通道
7
通道到通道匹配，
反方向的通道
7
所有型号
输出上升/下降时间（ 10 ％至90 ％ ）
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
共模瞬态抗扰度
在逻辑高电平输出。
8
共模瞬态抗扰度
在逻辑低输出
8
刷新率
5 V / 3 V操作
3 V / 5 V工作电压
输入使能时间
9
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
t
PSKOD
10
25
35
5
1
25
70
1000 NS
Mbps的
100纳秒
40
ns
50
ns
50
ns
100
60
5
30
5
6
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
t
R
/t
f
2.5
2.5
35
35
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
|厘米
H
|
|厘米
L
|
f
r
25
25
V
Ix
= V
DD1
/V
DD2
, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
V
Ix
= 0 V, V
CM
= 1000 V ，瞬时
大小= 800 V
t
启用
1.2
1.1
2.0
修订版E |第8页20
Mbps的
Mbps的
μs
V
IA
, V
IB
, V
IC
, V
ID
= 0或V
DD1
