ADuM1310/ADuM1311
特定网络阳离子
电气特性- 5 V工作电压
4.5 V ≤ V
DD1
≤ 5.5 V, 4.5 V ≤ V
DD2
≤ 5.5 V ;所有最小值/最大值规格适用于整个推荐的工作范围，
除非另有说明;所有典型规格在T
A
= 25 ° C，V
DD1
= V
DD2
= 5 V.所有电压均参照其各自的理由。
表1中。
参数
DC特定网络阳离子
ADuM1310 ，总电源电流，
三个通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅适用于BRWZ级）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
ADuM1311 ，总电源电流，
三个通道
1
DC到2 Mbps的
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
10 Mbps的（仅适用于BRWZ级）
V
DD1
电源电流
V
DD2
电源电流
所有型号
输入电流
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
2.4
1.2
3.2
1.6
mA
mA
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
6.6
2.1
9.0
3.0
mA
mA
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
2.2
1.8
2.8
2.4
mA
mA
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
DC至1 MHz的逻辑信号
频率
5 MHz的逻辑信号频率
5 MHz的逻辑信号频率
0 V ≤ V
IA
, V
IB
, V
IC
≤ V
DD1
或V
DD2
,
0 V ≤ V
CTRL1
, V
CTRL2
≤ V
DD1
或V
DD2
,
0 V ≤ V
关闭
≤ V
DD1
I
DD1 (10)
I
DD2 (10)
I
IA
, I
IB
, I
IC
, I
CTRL1
,
I
CTRL2
, I
关闭
V
IH
V
IL
V
OAH
, V
OBH
, V
OCH
V
OAL
, V
OBL
, V
OCL
10
4.5
3.5
+0.01
5.7
4.3
+10
mA
mA
μA
逻辑高输入阈值
逻辑低电平输入阈值
逻辑高电平输出电压
逻辑低输出电压
交换特定网络阳离子
ADuM131xARWZ
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真， |吨
PLH
t
PHL
|
4
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配
6
ADuM131xBRWZ
最小脉冲宽度
2
最大数据速率
3
传播延迟
4
脉冲宽度失真， |吨
PLH
t
PHL
|
4
随温度变化
传播延迟偏斜
5
通道到通道匹配，
2.0
0.8
(V
DD1
或V
DD2
) 0.1
(V
DD1
或V
DD2
) 0.4
5.0
4.8
0.0
0.2
0.1
0.4
V
V
V
V
V
V
I
Ox
= -20 μA ，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= -4毫安，V
Ix
= V
IXH
I
Ox
= 20 μA ，V
Ix
= V
IXL
I
Ox
= 4毫安， V
Ix
= V
IXL
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD / OD
PW
t
PHL
, t
PLH
PWD
t
PSK
t
PSKCD
修订版G |第24 3
1000
1
20
100
40
50
50
100
10
20
30
5
30
5
50
5
ns
Mbps的
ns
ns
ns
ns
ns
Mbps的
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
