ADT75
应用信息
热响应时间
所需的温度传感器来解决一个时间
指定的精度的热质量的函数
传感器和传感器与之间的热导率
对象被检测。热物质通常被认为是
相当于电容。热传导率为一般
用符号Q指定，并且可以被认为是热的
性。它在每瓦度单位一般规定
权力的转移在整个热联合。因此，时间
所需ADT75沉淀到所需的精度是
依赖于所选择的包，所述热接触
建立在该特定的应用程序，并且等效
热源的功率。在大多数应用中，最好是
凭经验确定的沉降时间。
电源去耦
在ADT75应使用0.1 μF的陶瓷去耦
V之间的电容
DD
和GND 。这是特别重要
当ADT75远离该电源装。
精确模拟产品，如ADT75 ，需要一个良好
过滤电源。因为ADT75从工作
单电源供电，它似乎方便进军数字
逻辑电源。然而，逻辑电源通常是一个开关
方式设计，其产生的20kHz的噪声到1 MHz
范围内。此外，快速逻辑门可以产生毛刺
几百毫伏的幅度由于布线电阻和
电感。
如果可能的话， ADT75应该直接从供电
系统供电。这种结构，如图22所示，
隔离逻辑开关瞬态的模拟部分。
即使一个单独的电源走线不可用，大方
电源旁路降低电源线引起的误差。当地
电源旁路由一个0.1 μF的陶瓷电容是
对于温度精度指标是关键
实现的。这种去耦电容必须放在尽可能接近
可以将ADT75 V
DD
引脚。
TTL / CMOS
逻辑
电路
自热效应
在ADT75的温度测量精度可能
降解在由于自加热的一些应用。错误可能
从静态功耗和功率引入
转换时消散。这些大小
温度误差是依赖于的热导率
在ADT75包，该安装技术，和的影响
气流。在25℃下，静电消散在ADT75通常
798.6 μW工作在3.3 V在8引脚MSOP封装
地安装在自由空气中，这占了升温
由于自加热的
ΔT =
P
DISS
×
θ
JA
= 798.6 μW × 205.9 ° C / W = 0.16 ℃，
因此建议通过该装置的电流消耗是
保持为最小，因为其对比例效果
温度误差。
使用省电模式可降低电流消耗
通过ADT75随后减少自发热
影响。当ADT75处于掉电模式和运营
在25℃下，静电消散在ADT75通常是78.6微瓦
随着V
DD
= 3.3 V和电/转换率为1 SPS
（每秒取样） 。在8引脚MSOP封装安装在
自由的空气，这占了温度升高，由于自我
加热
ΔT =
P
DISS
×
θ
JA
= 78.6 μW × 205.9 ° C / W = 0.016 ℃，
0.1μF
ADT75
动力
供应
图22.使用单独的痕迹，降低电源噪声
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