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SLWS198A - 2007年7月 - 修订2007年10月
偶数据位D0 ,D2,D4 ,D6, D8 ,D10,和D12是在CLKOUTP的上升沿和奇数据输出
比特D1,D3 ,D5, D7, D9 ,D11和D13是在CLKOUTP的下降沿输出。上升沿和下降沿
CLKOUTP的边缘必须被用来捕捉所有14个数据位(参见
图106)。
CLKOUTM
CLKOUTP
D0_D1_P,
D0_D1_M
D2_D3_P,
D2_D3_M
D4_D5_P,
D4_D5_M
D6_D7_P,
D6_D7_M
D8_D9_P,
D8_D9_M
D10_D11_P,
D10_D11_M
D12_D13_P,
D12_D13_M
D0
D1
D0
D1
D2
D3
D2
D3
D4
D5
D4
D5
D6
D7
D6
D7
D8
D9
D8
D9
D10
D11
D10
D11
D12
D13
D12
D13
样品N
样品N + 1
图106 DDR LVDS接口
LVDS缓冲器内部终端
一个内部终止选项是可用的(使用串行接口) ,通过该LVDS的缓冲器是差分
端的设备内部。可用的终端电阻是 - 300
,
185
,
150
(用名义
± 20 %的变化) 。这三个端子的任意组合进行编程;有效的终止是
所选择的电阻的并联组合。这导致从八开有效终端(无
终止),以65
.
内部端接有助于吸收任何反射,从接收端的到来,提高了信号
诚信。用100 - Ω内部和100 Ω外部终止时,电压摆幅在接收器端被减半
(相对于没有内部终端) 。的电压摆幅可以通过使用LVDS电流双恢复
模式。
图107
图108
没有与内部终端比较LVDS眼图( 100
).
与内部终端,眼睛看上去干净,即使10 pF负载电容(每个输出引脚接地) 。
终止使用寄存器位编程
<DATA TERM>
<CLKOUT TERM>
(见
表11)。
2007 ,德州仪器
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