AT/TS8xC51Rx2
6.1
扩展存储器（ XRAM ）
该TS80C51Rx2提供随机确定访问内存（ RAM ）空间的额外字节
提高数据处理的参数和高级语言的使用。
RA2 ， RB2和RC2器件具有256字节扩展RAM ，从00H到FFH外部
数据空间; RD2器件具有768字节扩展RAM ，从00H到2FFH外部数据
空间。
该TS80C51Rx2具有映射为四个独立的段的内部数据存储器。
这四个扇形部分是：
1.低128字节的RAM （地址从00H到7FH ）可直接或间接地
寻址。
2，高位128字节的RAM（地址从80H到FFH ）只能间接寻址。
3.特殊功能寄存器，特殊功能寄存器（地址从80H到FFH ）直接寻址
只。
4.扩展RAM字节通过MOVX指令间接访问，并与
EXTRAM位清零，在AUXR寄存器。 （见表6-1 ）。
低128字节可用直接或间接寻址方式访问。高位128
字节只能由间接寻址访问。高位128字节的RAM占用相同
地址空间的SFR 。这意味着它们具有相同的地址，但在物理上是分离的F
速度与SFR的空间。
当一个指令访问高于地址7Fh的内部位置时， CPU是否知道
访问是高128字节SFR空间的数据RAM或所使用的寻址模式
在指令。
使用直接寻址访问SFR空间的说明。
例如： MOV 0A0H ， ＃
数据显示，
访问在位置0A0H的SFR （这是P2） 。
使用间接寻址访问高位128字节的数据RAM的说明。
为
例如： MOV @ R0 ， ＃数据
其中， R0内容为0A0H ，访问数据字节地址
0A0H ，而不是为P2（地址为0A0H ） 。
256或768字节XRAM可以通过间接寻址访问，与EXTRAM位
清理和MOVX指令。这部分的存储器，它在物理上位于片上
逻辑上占据了前256或768字节的外部数据存储器。
随着EXTRAM = 0时，XRAM进行间接寻址，用MOVX指令
与任何寄存器R0 ，所选择的银行或DPTR的R1 。
到接入
XRAM不会影响P0，P2口， P3.6 （ WR ）和P3.7 （ RD ） 。例如，用EXTRAM
= 0 ， MOVX @ R0 ， ＃数据
其中， R0内容为0A0H ，访问XRAM地址0A0H
而不是外部存储器。外部数据存贮器的访问地址高于FFH
（即0100H到FFFFH ） （高于2FFH （即0300H到FFFFH的RD设备）将
用MOVX DPTR指令执行以相同的方式作为标准80C51中，所以
P0和P2口作为数据/地址总线， P3.6和P3.7和作为写入和读出时序信号。
请参考图6-1 。对于RD设备，以访问扩展RAM从100H到2FFH可以
只有做到这要归功于使用DPTR的。
随着EXTRAM = 1 ， MOVX @Ri和MOVX @DPTR将类似于标准80C51 。
MOVX @日将提供复用的端口0和任何输出数据的8位的地址
端口引脚可用于输出高地址位。这是为了提供外部
分页功能。 MOVX @ DPTR将生成一个16位的地址。端口2输出高
订购8位地址（DPH的内容），而端口0多路复用的低位8
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