8XC196MH工业电机控制CHMOS单片机
表7.信号说明（续）
信号
名字
BHE ＃
TYPE
O
描述
高字节使能。
在16位的总线周期，此低电平有效
输出信号生效字的读取和写入，并为
高字节读取和写入外部存储器。 BHE ＃
指示该有效数据被传输超过上
一半的系统地址/数据总线。
BHE ＃ ，与A0相结合，选择存储字节是
访问：
BHE ＃
0
0
1
A0
0
1
0
字节（S ）进行访问
两个字节
高字节只有
只有低字节
P5.7
复
同
P5.5/WRH#
BUSWIDTH
I
总线宽度。
如果在芯片配置寄存器使能，
此高电平有效输入信号动态选择总线宽度
的总线周期正在进行中。当BUSWIDTH高时，一个16位
位总线周期发生;当BUSWIDTH低，一个8位的总线
循环发生。 BUSWIDTH是活动期间CCR取。
事件处理器阵列（ EPA）比较引脚。
这些
信号是环保局的输出比较模块。这些
引脚的复用的其他信号，可以是
配置为标准的I / O。
累积程序验证。
此高电平输出
信号指示任何验证错误是否发生
由于该设备进入编程模式。 CPVER
保持高电平，直到校验错误发生，当时它是
驱动为低电平。一旦出现错误， CPVER保持低电平，直到
器件退出编程模式。当高， CPVER
表示所有的位置都正确，因为编程
该器件进入编程模式。
外部访问。
此低电平有效的输入信号指示
存储器访问片上或片外存储器。如果EA ＃是
低时，存储器访问是芯片外。如果EA ＃高并且
存储器地址是内2000H - 2FFFH ，接入是
片上ROM或OTPROM 。否则， EA ＃访问
高是到片外存储器。
EA ＃被采样
只
在RESET ＃的上升沿。
如果EA ＃ = V
EA
上的RESET ＃的上升沿时，器件进入
通过PMODE.3选择的编程模式： 0 。
对于无ROM设备， EA ＃必须接低电平。
事件处理器阵列（ EPA ）输入/输出引脚。
这些
是高速输入/输出引脚环保局
捕捉/比较模块。这些引脚复用
其他信号，并且可以被配置为标准的I / O 。
COMP3
COMP2
COMP1
COMP0
CPVER
O
P2.3
P2.6/CPVER
P2.5/PACT#
P2.4/AINC#
P2.6/COMP2
O
EA ＃
I
—
EPA1
EPA0
I / O
P2.2/PROG#
P2.0/PVER
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