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CMOS串行ê
2
舞会
S-93C76A
Rev.3.2
_00
2.写作（ WRITE ， ERASE ， WRAL ， ERAL ）
写指令（ WRITE ， ERASE ， WRAL ， ERAL）在用于启动数据写入非易失性
存储器由时钟的指定次数后使CS为“L ”被输入。
在写操作中写入时间t完成
PR
（ 10毫秒），无论哪个写指令
使用。在典型的写时间小于一半10毫秒。如果写操作的结束是已知的，
因此，在写入周期可被最小化。以确定在写操作结束时，使CS为“L ”，以
开始写操作，然后进行CS “H ”再检查DO输出引脚的状态。这
一系列的操作被称为奇偶校验工作。
如果溶解氧在验证操作期间，其中CS为“H”，输出为“L ”时，表明一次写操作
正在进行中。 DO输出为“ H”时，则表示该写操作结束。验证操作
可以根据需要被执行多次。这个操作可以通过两种方式来执行。一个是
DO输出从“ L”变为“ H”时上升沿保持CS为“H” 。另一种是
通过CS “H”一次，检查DO ，DO输出从“L ”变为“ H”的积极转变
输出，然后CS返回至“L” 。
在写入期间， SK和DI是无效的。在此期间，不要输入任何指令。输入一个
指令，而DO端子输出“H”或处于高阻抗状态。即使在DO引脚
立即允许输出“H” ，不要进入一个高阻抗（Hi -Z ）状态，如果“H”的DI （起始位）输入的
SK的上升沿。
DI保持“L”在奇偶校验工作期间。
2.1将数据写入（ WRITE ）
这个指令被用来写16位数据到一个指定的地址。
后使CS为“H ” ，输入一个起始位， WRITE指令，地址和16位数据。如果数据
超过16位被输入时，所写入的数据被顺序地移动，在每个时钟，并且将16位的输入
最后是有效数据。开始写操作时， CS是由“L” 。它是没有必要
设置数据为“1”被写入之前。
t
CDS
CS
SK
DI
DO
1
<1>
2
0
3
1
4
X
5
A8
6
A7
7
A6
高阻
8
A5
9
A4
10
A3
11
A2
12
A1
13
14
29
D0
t
SV
忙
t
PR
t
HZ1
准备
高阻
VERIFY
支持
A0 D15
图7中的数据写时序
10
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