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Rev.2.1
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CMOS串行ê
2
舞会
S-93A46A/56A/66A
4.写入（ WRITE ， ERASE ， WRAL ， ERAL ）
写操作包括四个写指令：数据写入（ WRITE ） ，数据擦除（ ERASE ） ，芯片写
（ WRAL ）和芯片擦除（ ERAL ） 。
写指令（ WRITE ， ERASE ， WRAL ， ERAL ）开始进行写操作的存储单元时，
低电平输入到CS之后的时钟指定数量的已被输入。 SK及DI的输入是
在写入期间无效的，所以不要输入指令。
指令的输入在DO端子的输出状态为高或高阻抗（Hi -Z ） 。
写操作只适用于程序有效模式（请参阅“
5.写使能（ EWEN ）和写
禁用（ EWDS ）
”).
4.1验证操作
由任意指令执行写操作在8 ms以内（写入时间t完成
PR
：通常为4毫秒） ，
因此，如果在完成写操作被识别时，在写入周期可被最小化。一
顺序操作，以确认写操作的状态被称为验证操作。
（1）操作
之后的写操作已经开始（CS
=
低） ，则写操作的状态可以通过验证
再次输入高电平CS确认DO端子的输出状态。这个序列是
称为验证操作，并且周期是一个高电平输入到CS引脚写入后
操作已启动被称为奇偶校验工作期间。
在确认DO端子的输出状态和写入操作之间的关系
动作期间如下。
DO引脚
=
低：写作过程中（繁忙）
DO引脚
=
高：写作完成（就绪）
（ 2 ）操作实例
有两种方法来执行验证操作：等待中的输出状态的变化
DO管脚，同时保持CS为高电平或悬浮验证操作（ CS
=
低）一次，然后
再次执行它来验证DO端子的输出状态。后一种方法允许CPU
在等待期间进行其他的处理，有效地进行系统设计。
注意事项1.输入一个低电平到DI引脚验证操作过程中。
2.如果一个高电平输入到DI端子在SK的上升时的输出状态
DO引脚为高电平时， S- 93A66A锁存指令假设一个起始位
被输入。在这种情况下，请注意DO端子会马上变为高阻抗
（高阻）状态。
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