ES/EGN35A180IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
输出功率与频率的关系
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
=1000mA
输出功率和漏极效率与输入功率
V
DS
= 50V我
DS （ DC ）
=千毫安F = 3.5GHz的
56
54
52
输出功率[ dBm的]
输出功率[ dBm的]
50
48
46
44
42
40
38
36
3.35
3.40
3.45
3.50
3.55
3.60
3.65
56
54
52
50
48
46
44
42
40
38
36
100
90
80
70
60
漏Effciency [％]
频率[ GHz的]
Pin=28dBm
Pin=40dBm
Pin=32dBm
Pin=45dBm
r
P
总功率Dissipasion [ W]
im
l
e
Pin=36dBm
a
n
i
y
r
输入功率[ dBm的]
50
40
30
20
10
0
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46
功率降额曲线
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
外壳温度[
o
C]
1.2版
2005年12月
2
