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DS1315幻影时钟芯片
交流电气运行特性
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 5.0 ± 10%)
只读存储器/
内存
= V
CCO
参数
读周期时间
CEI
存取时间
OE
存取时间
CEI
到输出低Z
OE
到输出低Z
CEI
到输出高Z
OE
到输出高Z
地址建立时间
地址保持时间
读恢复
写周期
CEI
脉冲宽度
OE
脉冲宽度
写恢复
数据设置
数据保持时间
RST
脉冲宽度
符号
t
RC
t
CO
t
OE
t
COE
t
OEE
t
OD
t
ODO
t
AS
t
AH
t
RR
t
WC
t
CW
t
OW
t
WR
t
DS
t
DH
t
RST
民
65
典型值
最大
55
55
5
5
25
25
5
5
10
65
55
55
10
30
0
65
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
4
5
5
DC工作电气特性
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 3.3 ± 10%)
参数
平均V
CC
动力
电源电流
平均V
CC
动力
电源电流，
(V
CCO
= V
CCI
-0.3)
TTL待机电流
(
CEI
= V
IH
)
CMOS待机电流
(
CEI
= V
CCI
-0.2)
输入漏电流
（任何输入）
输出漏电流
（任何输入）
输出逻辑1电压
(I
OUT
= 0.4 mA）的
输出逻辑0电压
(I
OUT
= 1.6 mA）的
电源故障触发点
电池开关电压
符号
I
CC1
I
CC01
民
典型值
最大
3
100
单位
mA
mA
笔记
6
7
I
CC2
I
CC3
I
IL
I
LO
V
OH
V
OL
V
PF
V
SW
2.8
V
BAT1
,
V
BAT2
,
或V
PF
11 22
2
1
-1
-1
2.4
0.4
2.97
+1
+1
mA
mA
A
A
V
V
V
6
6
2
2
14
