飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF1570N

牧师9 ， 6/2008

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

设计用于frequen-宽带商业和工业应用

资本投资者入境计划高达470兆赫。高增益和它们的宽带性能

装置使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器的应用

系统蒸发散在12.5伏移动调频设备。

指定的性能@ 470兆赫， 12.5伏特

输出功率 - 70瓦

功率增益 - 11.5分贝

效率 - 60 ％

能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 470兆赫， 2分贝高速

特点

优良的热稳定性

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

宽带 - 整个波段全功率： 135 - 175兆赫

400 - 470兆赫

宽带示范放大器的信息面议

200℃有能力塑料包装

后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。

在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。

MRF1570NT1

MRF1570FNT1

470兆赫， 70 W， 12.5 V

横向N - CHANNEL

宽带

RF功率MOSFET

CASE 1366至1305年，风格1

TO - 272 - 8 WRAP

塑料

MRF1570NT1

CASE 1366A - 03 ，风格1

TO - 272 - 8

塑料

MRF1570FNT1

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

V

DSS

V

GS

P

D

T

英镑

T

J

价值

+0.5, +40

±

20

165

0.5

- 65 + 150

200

单位

VDC

VDC

W

W / ℃，

°C

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

价值

(1)

0.29

单位

° C / W

表3. ESD保护特性

测试条件

人体模型

机器型号

充电器型号

类

1 （最低）

M2 （最低）

C2 （最低）

表4.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020

等级

1

封装峰值温度

260

单位

°C

1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。

MRF1570NT1 MRF1570FNT1

1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司