表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 35 VDC ，V
GS
= 0)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 10 VDC ，V
DS
= 0)
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 7.5伏，我
D
= 120
μAdc ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 7.5伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 7.5伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 7.5伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 7.5伏，P
OUT
= 8瓦，我
DQ
= 150 mA时， F = 520兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 7.5伏，P
OUT
= 8瓦，我
DQ
= 150 mA时， F = 520兆赫）
V
GG
C9
C8
G
ps
η
10
50
11
55
—
—
dB
%
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
66
38
6
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.0
—
0.9
1.7
0.5
—
2.1
—
—
VDC
VDC
S
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
1
1
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
档案信息
B2
+
C7
R3
B1
R2
C18
L1
Z6
DUT
C10
C11
C12
C13
Z7
Z8
Z9
Z10
C14
N2
C17
C16
+
C15
V
DD
R1
N1
C1
C2
C3
C4
C5
C6
RF
输入
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
RF
产量
B1, B2
C1
C2, C3, C4, C10,
C12, C13
C5, C11
C6, C18
C7, C15
C8, C16
C9, C17
C14
L1
N1, N2
短铁氧体磁珠，公平礼产品
(2743021446)
300 pF的， 100万片电容
0至20 pF的，微调电容器
43 pF的， 100万片电容
120 pF的， 100万片电容
10
μF,
50 V电解电容
0.1
μF,
100万片电容
1000 PF， 100万片电容
330 pF的， 100万片电容
55.5 NH， 5转， Coilcraft公司
N型法兰安装
R1
R2
R3
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
板
15
Ω,
0805贴片电阻
1.0千欧， 1/8 W电阻
33千欧， 1/2 W电阻
0.315 “× 0.080 ”微带
1.415 “× 0.080 ”微带
0.322 “× 0.080 ”微带
0.022 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.050 “× 0.080 ”微带
0.625 “× 0.080 ”微带
0.800 “× 0.080 ”微带
0.589 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳， 2盎司铜
MRF1517T1
2
图1： 480 - 520 MHz的宽带测试电路
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
