飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF19125
牧师6 ， 4/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2000至00年兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型2 - 载波N - 为V CDMA性能
DD
= 26伏，
I
DQ
= 1300毫安， F1 = 1958.75兆赫， F2 = 1961.25兆赫
IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ）
1.2288 MHz信道带宽的载体。相邻信道测
在30kHz处的带宽为f1 - 885千赫和f2 885千赫。失真
产品实测超过1.2288 MHz的带宽，在F1 - 2.5 MHz和
F2 2.5兆赫。峰值/平均。 = 9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 24瓦的魅力。
功率增益 - 13.6分贝
效率 - 22 ％
ACPR -
- 51分贝
IM3 -
- 37.0 dBc的
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1960兆赫， 125瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF19125R3
MRF19125SR3
1930- 1990年兆赫， 125 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF191225R3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF19125SR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
330
1.89
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.53
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF19125R3 MRF19125SR3
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RF设备数据
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