飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF19060
牧师9 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2000至00年兆赫。适用于CDMA，TDMA， GSM和多载波放大器
应用程序。
典型的CDMA业绩：1960兆赫， 26伏
IS - 95 CDMA导频，同步，寻呼，交通守则8到13
输出功率 - 7.5瓦
功率增益 - 12.5分贝
邻道功率 -
885千赫： - 47 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.25兆赫： - 55 dBc的@ 12.5 kHz的带宽
2.25兆赫： - 55 dBc的@ 1 MHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1960兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF19060LR3
MRF19060LSR3
1930- 1990兆赫， 60 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF19060LR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF19060LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
180
1.03
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.97
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF19060LR3 MRF19060LSR3
1
RF设备数据
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